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红外线灯管加热装置RTA系列
作者:admin 日期:2008-08-18
半导体器件的集成化，高密度化，热处理由过去的一个元件工艺处理，到至今的多元件连续工艺处理，以是现在我们所研究的课题。ULVAC理工株式会社常年所培育的红外线金面反射炉的快速加热技术，从研究开发到生产制作为一体的科研和生产体制充分体现于多式样连续化热处理的红外线灯管加热装置RTA系列的商品化。式样尺寸为450mm～4200mm。从硅片到化合物，在细微的技术方面我们都会满足用户的需求。
●用途
注入离子后的活性化退火。
氧化薄膜生成退火。
欧姆电极的烧结。
PZT, SBT等强诱导体薄膜的结晶化退火。
发光素子，半导体激光基板的退火。
●特长
加热气氛为真空，气体，流动气体，大气。
炉壁是由金面构成，可同时进行高速加热和高速冷却。
由红外线灯管组成9个独立加热区，分析可以调节加热功率，具有良好
的温度分布。
适用于450mm～4200mm尺寸的半导体基板。
配有防止氧化所产生试样卷曲的功能。(选择)
●技术指标
型号 VHC-P610 RTP3000 RTP4000 RTP6000 RTP8000
硅片尺寸(mmφ) 50 75 100 150 200
温度传感器 TC TC TC/高温计 TC/高温计 TC/高温计
温度范围(MAX) 1200℃
加热速度 50℃/sec 50℃/sec 100℃/sec 100℃/sec 100℃/sec
●用途
注入离子后的活性化退火。
氧化薄膜生成退火。
欧姆电极的烧结。
PZT, SBT等强诱导体薄膜的结晶化退火。
发光素子，半导体激光基板的退火。
●特长
加热气氛为真空，气体，流动气体，大气。
炉壁是由金面构成，可同时进行高速加热和高速冷却。
由红外线灯管组成9个独立加热区，分析可以调节加热功率，具有良好
的温度分布。
适用于450mm～4200mm尺寸的半导体基板。
配有防止氧化所产生试样卷曲的功能。(选择)
●技术指标
型号 VHC-P610 RTP3000 RTP4000 RTP6000 RTP8000
硅片尺寸(mmφ) 50 75 100 150 200
温度传感器 TC TC TC/高温计 TC/高温计 TC/高温计
温度范围(MAX) 1200℃
加热速度 50℃/sec 50℃/sec 100℃/sec 100℃/sec 100℃/sec
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